Ai-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響
bunken-searchAi-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響研究論文・論説[P]10.11279/jfes.85.197201304Ai-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響Effects of Si, P and Mold Temperature on Reverse Segregation Layer Thickness in Al-Si System Alloy Casting森中真行・豊田充潤(アイシン・エィ・ダブリュ株式会社)Ai-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響, Effects of Si, P and Mold Temperature on Reverse Segregation Layer Thickness in Al-Si System Alloy Casting, Aluminum Alloy, Solidification, Reverse segregation, Exudation, Silicon, Phosphorus, Mold temperature, Air gap, Solidified shell, Multiple layer surface Vol.085-0197研究論文・論説[P]n20868
| 分類 | 研究論文・論説[P] |
|---|---|
| DOI | 10.11279/jfes.85.197 |
| 掲載年月 | 201304 |
| 論文名 | Ai-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響 |
| 論文名（英） | Effects of Si, P and Mold Temperature on Reverse Segregation Layer Thickness in Al-Si System Alloy Casting |
| 研究者 | 森中真行・豊田充潤(アイシン・エィ・ダブリュ株式会社) |
| キーワード | Ai-Si系合金鋳物の逆偏析層厚さに及ぼすSi,P,金型温度の影響, Effects of Si, P and Mold Temperature on Reverse Segregation Layer Thickness in Al-Si System Alloy Casting, Aluminum Alloy, Solidification, Reverse segregation, Exudation, Silicon, Phosphorus, Mold temperature, Air gap, Solidified shell, Multiple layer surface |
| 掲載ページ | Vol.085-0197 |
| ID | n20868 |
